SI 單位和 CGS 單位

關(guān)于磁通密度和磁場強度的單位

通常，磁場強度以奧斯特或安培/米為單位表示，而以單位面積的磁通密度（磁力線磁通密度）表示時，則使用高斯或特斯拉。

由于單位定義不同，磁場強度和磁通密度在不同條件下，例如在真空中或磁性材料內(nèi)部，不會呈比例關(guān)系。

上述轉(zhuǎn)換腳本適用于通常執(zhí)行測量的真空（空氣中）。因此，1 奧斯特≒ 1 高斯。

表示磁體特性的項目包括剩余磁通密度（Br）和矯頑力（HC）。

剩余磁通密度的單位通常是高斯和特斯拉，矯頑力的單位是奧斯特和安培每米。

為什么要用不同的單位來表示呢？

殘余磁通密度字面上是指磁力線的磁通密度，因此我們使用高斯，但矯頑力是指必須施加的相反方向磁場的大小，以翻轉(zhuǎn)磁體的磁化極性用奧斯特表示。

關(guān)于磁通密度、磁通的定義和測量

高斯計或磁通計用于測量磁體的磁化狀態(tài)。

磁通計測量磁通量并使用韋伯或麥克斯韋單位。

1 韋伯的定義是“在一匝閉合電路（線圈）中，當與電路交鏈的磁通量在 1 秒內(nèi)均勻變化時，由于電磁感應(yīng)而感應(yīng)出 1V 電動勢的磁通量。 “它成為了。

磁通計將磁通量的變化施加到傳感器部分（線圈部分），并對感應(yīng)電壓隨時間的變化進行積分。表示與磁鏈數(shù)成比例的電壓。
了解有關(guān)磁通量的更多信息

高斯計測量磁通密度。單位是高斯或特斯拉。

1特斯拉（T）的定義是“垂直于磁場方向的每1m 2表面的磁通密度為1Wb（韋伯） " 。因此，公式1Wb/m 2 =1T成立。

例如，如果韋伯是該國的總?cè)丝冢敲刺厮估褪悄骋稽c的人口密度。

磁通計適合快速確定整個目標磁體的磁化狀態(tài)。高斯計可以測量特定位置的精確磁化狀態(tài)。因此，通過將其與測量的位置數(shù)據(jù)組合，可以詳細分析磁化狀態(tài)。

高斯計的傳感器采用霍爾元件，通過發(fā)射器和模擬開關(guān)檢測磁場產(chǎn)生的霍爾電壓。

高斯計型號列表